BLC9H10XS-500AY
![गुणवत्ता [#varpname#] फैक्टरी](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
निर्माता:
एम्पलॉन यूएसए इंक।
विवरण:
RF Power Discrete Transistors
श्रेणी:
इलेक्ट्रॉनिक अर्धचालक
विनिर्देश
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
19.3
Output Power (W) ::
500
आवृत्ति न्यूनतम (GHz) ::
0.617
Process ::
LDMOS
आवृत्ति अधिकतम (GHz) ::
0.96
Manufacturer ::
Ampleon USA Inc.
परिचय
BLC9H10XS-500AY, Ampleon USA Inc., एक आरएफ एम्पलीफायर है। हम जो पेशकश करते हैं, वह वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है, जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
संबंधित उत्पाद
BLA9H0912L-250U
RF Power Discrete Transistors
C4H10P600AY
RF Power Discrete Transistors
BLF8G22LS-160BV,11
RF Power Discrete Transistors
बीएलपी10एच660पीजीवाई
RF Power Discrete Transistors
BLS7G2730LS-200PU
RF Power Discrete Transistors
BLP05H6700XRY
RF Power Discrete Transistors
BLS9G2731LS-400U
RF Power Discrete Transistors
BLC10G22XS-400AVTZ
RF Power Discrete Transistors
BLF6G22LS-100,112
RF Power Discrete Transistors
BLC9G27XS-380AVTZ
RF Power Discrete Transistors
| छवि | भाग # | विवरण | |
|---|---|---|---|
|
|
BLA9H0912L-250U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
C4H10P600AY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLF8G22LS-160BV,11 |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
बीएलपी10एच660पीजीवाई |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS7G2730LS-200PU |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLP05H6700XRY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS9G2731LS-400U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC10G22XS-400AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLF6G22LS-100,112 |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC9G27XS-380AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
|
आरएफक्यू भेजें
स्टॉक:
एमओक्यू: