एनपीटी2022
![गुणवत्ता [#varpname#] फैक्टरी](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
निर्माता:
मैकॉम
विवरण:
RF JFET Transistors DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
श्रेणी:
इलेक्ट्रॉनिक अर्धचालक
विनिर्देश
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
उत्पाद श्रेणी ::
आरएफ जेएफईटी ट्रांजिस्टर
Mounting Style ::
Screw
पाना ::
21 डीबी
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
160 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
24 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
परिचय
एनपीटी2022,एमएसीओएम से,आरएफ जेएफईटी ट्रांजिस्टर है।हम जो पेशकश करते हैं, वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है,जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
संबंधित उत्पाद
एमएसीओएम आरएफ में अर्धचालक MADP-007167-0287AT
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
MADP-007433-12790T 1.5 ओम आरएफ अर्धचालक 0.35 पीएफ 75 वी
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
| छवि | भाग # | विवरण | |
|---|---|---|---|
|
|
एमएसीओएम आरएफ में अर्धचालक MADP-007167-0287AT |
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
|
|
|
|
MADP-007433-12790T 1.5 ओम आरएफ अर्धचालक 0.35 पीएफ 75 वी |
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
|
आरएफक्यू भेजें
स्टॉक:
एमओक्यू: