टीजीएफ2025
विनिर्देश
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 15 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
14 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
0.89 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Gel Pack
Maximum Drain Gate Voltage ::
12 V
Id - Continuous Drain Current ::
81 mA
Manufacturer ::
Qorvo
परिचय
टीजीएफ2025,कोर्वो से,आरएफ जेएफईटी ट्रांजिस्टर है।हम जो पेशकश करते हैं,उसकी वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी कीमत है,जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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